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本文由半导体产业纵横（ID： I CVI EWS）抽象

SK海力士文书，已运转量产12H HBM3E芯片，终显着现存HBM家具中最大的36GB容量。

本日，韩国SK海力士文书，已运转量产寰球首款12层HBM3E家具，容量为36GB，这是迄今为止现存HBM的最大容量。

SK海力士宣称，12层HBM3E家具在速率、容量和领路性方面均达到寰球最高尺度。该公司计划在年内向客户提供量产家具。

受此音书影响，SK海力士股价周四在韩股商场上大涨。

SK海力士率先终了12层HBM量产

本年3月，SK海力士向客户拜托8层HBM3E家具，创下业界首位。时隔6个月后，SK海力士再次业界首个终了12层HBM3E芯片量产sex5，再次解说其技艺上风。

SK海力士是自2013年推出寰宇首款HBM以来，开发并供应从第一代(HBM1)到第五代(HBM3E)一说念HBM系列的独一企业。

如今，SK海力士终了在业界率先量产12层HBM3E后，将得志东说念主工智能企业日益增长的需求，并链接保抓其在东说念主工智能存储器商场的开端地位。

SK海力士总裁 Justin Kim示意：“SK海力士再次破裂了AI内存边界的技艺抑止，展示了咱们在AI内存边界的行业开端地位…为了克服东说念主工智能时间的挑战，咱们将稳步准备下一代内存家具，链接保抓寰球第一的地位。”

速率、容量、领路性均达最高尺度

据该公司先容，12层HBM3E家具在速率、容量、领路性等东说念主工智能存储器所必需的整个边界皆适应寰宇最高尺度。

SK海力士将内存运行速率提高到9.6 Gbps，这是当今可用的最高内存速率。淌若大型言语模子Llama 3 70b由单个搭载4个HBM3E家具的GPU驱动，每秒可读取料到700亿个参数35次。

SK海力士的12层家具和此前同等厚度的8层家具比拟，容量加多了50%。为了终了这一指标，该公司将每个DRAM芯片比昔日薄40%，并使用TSV技艺垂直堆叠。

该公司还通过行使其中枢技艺Advanced MR-MUF工艺，惩处了由于将更薄的芯片堆叠得更高而产生的结构问题。这使得新一代家具散热性能比上一代家具高10%，并通过增强翘曲抑止来确保家具的领路性和可靠性。

三星发扬怎样？

HBM（高带宽存储器）是GPU的关键组件，有助于处理复杂行使门径产生的大皆数据，芯片垂直堆叠技艺不错在从简空间的同期缩小功耗。

当今，HBM的主要制造商唯有三个——SK海力士、好意思光科技和三星电子。其中，三星电子于本年2月初度推出了HBM3E 12H。

三星HBM3E 12H维持全天候最高带宽达1280GB/s，家具容量也达到了36GB。比拟三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅耕种高出50%。

“现时行业的东说念主工智能作事供应商越来越需要更高容量的HBM，而咱们的新家具HBM3E 12H恰是为超越志这种需求而假想的，” 三星电子存储器家具企划团队推行副总裁 Yongcheol Bae 示意，“这一新的存储惩处有计划是咱们研发多层堆叠HBM中枢技艺以及在东说念主工智能时间为高容量HBM商场提供技艺素养力而极力的一部分。”

HBM3E 12H经受了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技艺，使得12层和8层堆叠家具的高度保抓一致，以得志现时HBM封装的条款。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片攻击问题，这项技艺将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在极力缩小其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并终了芯片之间的症结最小化至7微米（µm），同期排斥了层与层之间的闲逸。这些极力使其HBM3E 12H家具的垂直密度比其HBM3 8H家具提高了20%以上。

三星先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技艺还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块（bump）改善HBM的热性能。在芯片键合（chip bonding）历程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则舍弃在需要散热的区域。这种纪律有助于提高家具的良率。

跟着东说念主工智能行使的指数级增长，HBM3E 12H有望成为畴昔系统的优选惩处有计划，得志系统对更大存储的需求。凭借超高性能和超大容量，HBM3E 12H将匡助客户愈加活泼地管束资源，同期缩小数据中心的总体领有老本（TCO）。比拟HBM3 8H，HBM3E 12H搭载于东说念主工智能行使后，展望东说念主工智能历练平均速率可耕种34%，同期推理作事用户数目也可加多高出11.5倍。

对于量产程度sex5，三星示意已运转向客户提供HBM3E 12H样品，展望于本年下半年运转大范围量产。